（来源：半导体芯情）
当前，存储芯片产业正处于前所未有的超级芯片上涨周期中，存储原厂积极扩产争取更大的存储市场话语权和份额。
据透露，存储芯片公司SK海力士公司正计划通过在美国上市的方式筹集10万亿至15万亿韩元（约合100亿美元）的资金。SK海力士将把潜在收益用于建设人工智能基础设施，比如在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大存储产品的产能。
对于该新闻，SK海力士的一位发言人回应称：“旨在提升股东价值的各种措施，包括美国存托凭证（ADR），目前正处于审查阶段。不过，目前尚未有最终决定。”
为了提高存储芯片的产能，SK海力士表示，为准备新产品的大规模量产，公司将采购价值11.95万亿韩元（约合79.7亿美元）的ASML极紫外光刻设备。SK海力士在监管文件中称，将在2027年12月31日前完成这批设备的采购。SK海力士据悉正在评估使用台积电（TSMC）的3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。
SK海力士的鉴定扩产逻辑来源于存储芯片的市场需求量大，据透露，存储芯片涨价已经持续一年半，今年一季度，部分产品涨价一倍多。海力士的业绩也是水涨船高，大信证券的Ryu Hyung-keun在一份报告中写道，SK海力士有望在2026年实现创纪录的盈利。该分析师预测，这家韩国存储芯片制造商今年的营业利润将几乎增至四倍，达到174万亿韩圆（相当于1,204亿美元），高于他之前预测的142万亿韩圆。Ryu表示，到2026年，其通用DRAM和NAND产品（两大主要存储芯片类别）的平均售价预计将分别跃升159%和91%。他补充说，到2026年底，该公司预计将继续作为高带宽存储(HBM)（DRAM市场的高端细分市场）的主要全球供应商。SK海力士作为全球三大内存厂商之一，占据全球内存市场的重要份额，其对市场的研判往往具有极高的权威性，此次明确表态内存价格将持续上涨，也意味着2026年整个内存市场将进入“涨价周期”，后续各类数码产品的价格走势，也将受到直接影响。
对于存储芯片现状，分析师表示，全球DRAM库存已跌至仅剩4周的危险水平，远低于8-12周的安全线。SK海力士更是放话：全球存储器产业已彻底转为卖方市场，2026年涨势将贯穿全年，甚至可能延续至2027年。
在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。
对于终端市场，SK海力士继续提到，尽管PC和移动端客户可能会通过“降低配置”（Despeccing）来应对，但在受限的供应增长面前，这一因素被完全抵消。AI客户随着服务取得实质性进展，正在维持巨大的投资规模，这种“真实需求”成为了价格上涨最坚实的支撑。
库存降至“极低水位”，话语权向卖方转移。目前的供需紧张程度已经达到了近年来的高点。海力士在会议中透露了一个关键事实：
“今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求。”
这意味着所有终端市场的需求满足率都处于低位。从库存角度看，服务器客户的库存已达到健康水平，而PC和移动客户的库存正呈现下降趋势。更为关键的是作为供应端的海力士，其自身库存已极其单薄。
“我们在DRAM和NAND上的库存均处于正常水平，约为4周，并预计这一水平在全年将继续下降。”
海力士坦言，鉴于目前的生产计划，很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。然而，这种僵局反而为未来带来了利好。由于标准型DRAM目前的供需极度紧张（Tight S/D），这为海力士在谈判桌上赢得了更多筹码。公司认为，这种紧张局势“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。
据透露，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2-3月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存）。
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